AUFGABENSTELLUNG
Ziel ist die Entwicklung eines haptikoptimierten, abriebfesten Silikonkunstleders, wobei anstelle der üblichen Lackapplikation die erforderliche Oberflächenmodifikation mittels VUV-Bestrahlung erfolgt. Um dies zu erreichen, müssen die Formulierung der Silikonrezeptur exakt auf die favorisierte Oberflächenbehandlungsmethode der VUV-Bestrahlung abgestimmt und die Prozessbedingungen auf die Erfordernisse des Materialsystems angepasst werden. Auf diese Weise soll die bisher bei der VUV-Modifizierung auftretende Rissbildung in den oberflächennahen Bereichen verhindert oder auf ein Minimum reduziert werden.
PROJEKTZIEL | ARBEITSHYPOTHESE
Zum Erreichen der Zielstellung werden physikalische (A) und chemische (B) Modifikationen untersucht.
(A) Durch die VUV-initiierte Vernetzung entsteht ein oberflächennaher Bereich hoher Shore-Härte, der in Kombination mit darunterliegenden Schichten niedriger Shore-Härte physikalisch bedingt die Ausbildung bzw. Ausbreitung von Spannungsrissen fördert. Dies soll beim Schichtaufbau des Silikonkunstleders berücksichtigt werden. Insbesondere für den Deckstrich wird der Einfluss der Härte auf die Rissausbreitung systematisch untersucht und anwendungsbezogen optimiert.
(B) Auf molekularer Ebene soll die Rissausbildung durch Variation der Silikon-Kettenlänge sowie der Inkorporation von Kettenabbruchstellen in Form spezieller Substituenten beeinflusst werden. Beide Varianten führen zu einer Verkürzung der oxidierbaren Kettensegmente.
NUTZEN | AUSBLICK
Das innovative Oberflächenmodifizierungsverfahren der VUV-Behandlung für Silikonoberflächen ist prinzipiell für alle Industrien nutzbar, in denen Silikonartikel hergestellt, verarbeitet oder eingesetzt werden. Prädestiniert für den Einsatz von silikonbasierten Produkten sind die Wirtschaftszweige Fahrzeugbau, Möbelbau, Medizintechnik sowie Luft- und Raumfahrt.
FORMALE ANGABEN | PROJEKTLeiTER FILK | PROJEKTPARTNER |
Programm: IGF Förderkennzeichen: 22286 BG Projektbeginn: 04.2022 Laufzeit: 24 Monate | Dr. Kristin Trommer | Dr. Laura Schilinsky, Fraunhofer-IFAM Bremen |